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脉冲电子束外延法制备Graphene二维晶体材料
【机构】 中国科学院物理研究所；
【摘要】 <正>当作为一种独立存在的完美二维晶体时,Graphene是一种零带隙新型半导体[1-3]。Graphene在SiC单晶表面外延生长,这一通常由单层到数层组成的复杂狄拉克-费米子系统[4-5],其第一层由于电子掺杂和轨道杂化[6],成为过渡层,从而其载流子失去了"狄拉克粒子"的属性。与剥离法制备的独立的Graphene不同,在过渡层之上外延生长的各层,既具有独立Graphene的性质,同时其带隙可调[7],尤其是通过表面修饰,可以实现P型或n型掺杂[8]。
- 【会议录名称】 中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议学术论文摘要集
- 【会议名称】中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
- 【会议时间】2008-07-27
- 【会议地点】中国安徽黄山
- 【分类号】O649
- 【主办单位】中国晶体学会