【作者】 陈肖虎； 方敏； 宋建敏； 陈颖；

【Author】 CHEN Xiao-hu~1,FANG-Min~1,SONG-Jianmin,CHEN Ying~1 (College of Materials Science and Metallurgical Engineering,Guizhou University,guiyang 550003;college of Materials science and Materials Processing Engineering,Dalian Communication University,China)

【机构】 贵州大学材料科学与冶金工程学院； 大连交通大学材料科学与材料加工工程学院；

【摘要】 实验用了化学气相沉积(CVD)法制备高纯钛。对高纯钛制备中的形核过程进行了热力学和动力学分析。实验得出:沉积区温度应控制在1350～1450K。更多还原

【Abstract】 This paper mainly introduces the chemical vapor deposition(CVD) Preparation of high pure titanium,combined with kinetics and the formation of crystals-the theory of Chemical Vapor Deposition process for high purity titanium of the reaction kinetics and thermodynamics of form crystals factor analysis,and combined with experiments to obtain Conclusion:The deposition temperature should be controlled at 1350～1450K.更多还原