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雷击浪涌脉冲作用下典型集成电路损伤效应研究
【机构】 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室； 西安交通大学电气工程学院测试计量技术及仪器教研室；
【摘要】 本文对两种典型数字集成电路进行雷击浪涌脉冲注入实验,记录并分析出器件在浪涌脉冲作用下的瞬时损伤波形,并据此统计并计算出被测器件的损伤电压、功率及能量阈值。结论认为,在雷击浪涌脉冲作用下,器件的损伤是由能量主导的;通过计算器件损伤能量阈值的威布尔分布参数可以得到其分布与正态分布较为吻合;通过比较集成电路不同端对的损伤阈值,得到两种集成电路器件在雷击浪涌脉冲作用下最为敏感易损的端对均为输出-地端。
- 【会议录名称】 2010电工测试技术学术交流会论文集
- 【会议名称】2010电工测试技术学术交流会
- 【会议时间】2010-08-01
- 【会议地点】中国湖北武汉
- 【分类号】TM861;TN407
- 【主办单位】中国电工技术学会电工测试专业委员会、武汉大学