拓扑绝缘体Sb₂Te₃薄膜的生长及其STM研究

【作者】 蒋烨平； 王以林； 陈牧； 李志； 宋灿立； 王立莉； 何珂； 陈曦； 马旭村； 薛其坤；

【机构】 中国科学院物理研究所； 清华大学物理系；

【摘要】 <正>拓扑绝缘体因其受拓扑保护的表面态[1-3]而备受关注。Sb2Te3是理论预言的一种三维拓扑绝缘体,但Sb2Te3薄膜生长及其研究的报道并不多。我们利用分子束外延技术在石墨烯衬底上制备出了高质量的Sb2Te3薄膜,发现通过改变生长条件我们可以对缺陷的种类及浓度进行有效的控制。特别是,通过控制本征缺更多还原