Cr掺杂拓扑绝缘体Sb₂Te₃薄膜中反常霍尔效应的调控

【作者】 常翠祖； 刘旻昊； 张金松； 何珂； 王亚愚； 马旭村； 薛其坤；

【机构】 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室； 清华大学物理系低维量子物理实验室；

【摘要】 <正>拓扑绝缘体是最近几年发现的一种新的物质形态,具有很多独特的物理性质,有可能在拓扑量子计算和自旋电子学等领域有重要的应用[1]。特别是,在磁性掺杂的拓扑绝缘体中,人们预言了多种新奇的量子效应,例如拓扑磁电效应、量子化反常霍尔效应[2]、表面态诱导的磁有序等等。我们更多还原