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In2-2xTbxZnxO3陶瓷的制备及高温热电性能
【机构】 北京科技大学;
【摘要】 <正>利用放电等离子SPS烧结工艺制备得到In2-2xTbxZnxO3纳米晶陶瓷材料。通过研究材料的微观结构,发现SPS低温烧结的In2O3基陶瓷材料的晶粒尺寸为100~300nm。样品In2-2xTbxZnxO3在测试温度范围内最高电导率为~200Sm-1,而热电势高温
- 【会议录名称】 2011中国材料研讨会论文摘要集
- 【会议名称】2011中国材料研讨会
- 【会议时间】2011-05-17
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TQ174.13
- 【主办单位】中国材料研究学会