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Mg2Si0.6-xSn0.4Sbx化合物的制备和热电性能

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【作者】 吕晓安； 霍凤萍； 徐桂英；

【机构】 北京科技大学特种陶瓷与粉末冶金研究所；

【摘要】 <正>Mg2Si基化合物半导体具有有效质量大、迁移率高和品格热导率低等特点,是一种适用于200℃～500℃温差发电用的中温热电材料。Mg2Sil-xSnx毗固溶体具有优于纯的Mg2Si和纯的Mg2Sn的热电性能,通过对其进行合适的掺杂,可以得到ZT>1的热电材料。

  • 【会议录名称】 2011中国材料研讨会论文摘要集
  • 【会议名称】2011中国材料研讨会
  • 【会议时间】2011-05-17
  • 【会议地点】中国北京
  • 【分类号】TB34
  • 【主办单位】中国材料研究学会
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