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GaAs HBT VBIC模型参数的提取
Parameter Extraction for the VBIC Model of GaAs HBT
【机构】 中国科学院微电子研究所；
【摘要】 本文通过对HBT的VBIC模型参数提取的研究,提取了一套InGaP/GaAs功率管的VBIC模型参数。依据InGaP/GaAs HBT功率特性,简化了VBIC拓扑结构,特别考虑了寄生对提参建模的影响。对器件Ⅰ-Ⅴ特性和100MHZ～15.1G频率范围的S参数进行了测试和建模,结果表明,本提取方法改进了参数提取的效率和精度,对InGaP/GaAs功率管的小信号特性有较好的表征。
- 【会议录名称】 2005’全国微波毫米波会议论文集（第三册）
- 【会议名称】2005’全国微波毫米波会议
- 【会议时间】2006-02-27
- 【会议地点】中国广东深圳
- 【分类号】TN322.8
- 【主办单位】中国电子学会