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AlGaN/GaN HEMT器件高温退化机理研究
The degradation mechanism of AlGaN/GaN HEMT at high temperature
【作者】 姚小江； 刘新宇； 刘键； 魏珂； 李诚瞻； 刘丹； 刘果果； 陈小娟； 和致经；
【机构】 中国科学院微电子研究所；
【摘要】 通过观察AlGaN/GaN HEMT器件在不同的环境温度下直流特性的变化以及器件置于一段时间高温环境后冷却至室温直流特性的变化得出AlGaN/GaN HEMT器件的直流特性随温度的变化趋势,并进一步讨论AlGaN/GaN HEMT器件的直流特性随温度升高而退化的机理。
【关键词】 AlGaN/GaN HEMT器件；
高温；
直流特性退化；
- 【会议录名称】 2005’全国微波毫米波会议论文集（第三册）
- 【会议名称】2005’全国微波毫米波会议
- 【会议时间】2006-02-27
- 【会议地点】中国广东深圳
- 【分类号】TN386
- 【主办单位】中国电子学会