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高性能的Be掺杂基区InP/InGaAs SHBT
【作者】 苏树兵； 于进勇； 刘新宇； 刘训春； 王润梅； 徐安怀； 齐鸣；
【机构】 中国科学院微电子研究所； 中国科学院上海微系统与信息技术研究所；
【摘要】 成功制作了MBE生长的Be掺杂基区的自对准InP/InGaAs单异质结双极晶体管（SHBT）。该器件的发射极尺寸为2×13μm2:共射极直流增益β=100,残余电压Voffset≈0.06V,膝点电压Vknee≈0.3V,击穿电压BVCEO≈3.8V。器件的截止频率fT=155GHz,最高震荡频率fmax=60GHz。
- 【会议录名称】 2005’全国微波毫米波会议论文集（第三册）
- 【会议名称】2005’全国微波毫米波会议
- 【会议时间】2006-02-27
- 【会议地点】中国广东深圳
- 【分类号】TN322.8
- 【主办单位】中国电子学会