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手机用砷化镓单刀双掷射频开关
【作者】 蒋幼泉； 李拂晓； 黄念宁； 陈继义； 邵凯； 杨乃彬；
【机构】 南京电子器件研究所；
【摘要】 报道了一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关。该产品在820～950MHz下,插入损耗（IL）≤0.4dB,回波损耗（RL）≥19.5dB,反向三阶交调(PTOI)≥67dBm,隔离度（Iso）≥15.5dB,控制电压为（0,+4.75V）。
- 【会议录名称】 2001年全国微波毫米波会议论文集
- 【会议名称】2001年全国微波毫米波会议
- 【会议时间】2001-10-01
- 【会议地点】中国四川成都
- 【分类号】TM564
- 【主办单位】中国电子学会