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GaAsMESFET内匹配功率放大器
【机构】 哈尔滨工业大学；
【摘要】 本文介绍一种由管壳.装在管壳内的输入、输出匹配电路、管芯三部分组成的GaAs MESFET内匹配功率放大器.文中介绍了放大器的电原理图,电路结构和内匹配电路的设计.放大器在3.7～4.0GHz 300MHz带宽内,单管芯放大器在中心频率上G-1dB=8.7dB.P-1aB= 3.12W;双管芯放大器在中心频率上G-1dB=8.0dB P-1dB=6.2W.
- 【会议录名称】 1995年全国微波会议论文集（上册）
- 【会议名称】1995年全国微波会议
- 【会议时间】1995-10-01
- 【会议地点】中国江苏南京
- 【分类号】TN386
- 【主办单位】中国电子学会微波分会