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功率砷化镓场效应管大信号S参数模拟

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【作者】 骆建军邓先灿孙国恩

【机构】 杭州电子工业学院微电子CAE研究所

【摘要】 本文讨论了用CAD方法获得砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAs MESFET)大信号S参数的途径。从MESFET大信号模型出发,采用谐波平衡法求出稳态解,可获得了大信号、小信号S参数,并自动在同一Smith圆图上显示出来,也可进行增益压缩等特性的分析。在从材料器件物理参数出发直接设计出MMIC的一步法CAD软件包中,本文所开发的软件已得到了正确性的验证。

【基金】 军事电子应用基础研究重点课题的经费资助
  • 【会议录名称】 1993年全国微波会议论文集(下册)
  • 【会议名称】1993年全国微波会议
  • 【会议时间】1993-10-25
  • 【会议地点】中国安徽合肥
  • 【分类号】TN386
  • 【主办单位】中国电子学会微波分会
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