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采用HEMT器件的X波段低噪声放大器
【机构】 北京理工大学；
【摘要】 与目前常用的FET器件相比,HEMT-高电子迁移率晶体管具有许多优良特性。本文介绍的X波段低噪声放大器,采用HITACHI公司生产的HEMT管2SK1615,运用图解分析与计算机优化相结合的设计方法,取得了满意结果。该放大器具有噪声系数低、增益较高、电路尺寸小的优点。
- 【会议录名称】 1993年全国微波会议论文集（下册）
- 【会议名称】1993年全国微波会议
- 【会议时间】1993-10-25
- 【会议地点】中国安徽合肥
- 【分类号】TN722.3
- 【主办单位】中国电子学会微波分会