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硅上SiO2膜的喇曼谱

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【作者】 姜建义； 余菊华； 许存义； 刘春荣；

【机构】 安徽大学物理系； 中国科大结构成分分析中心；

【摘要】 <正>我们用Spexl 403型喇曼光谱仪分别测量了高电阻率单晶硅和硅上热氧化膜的喇曼谱,扣除硅衬底的喇曼散射频移,便可获得硅上热氧化SiO

  • 【会议录名称】 全国第三届光散射学术会议论文摘要
  • 【会议名称】全国第三届光散射学术会议
  • 【会议时间】1985-11-10
  • 【会议地点】中国湖北武汉
  • 【分类号】TN304
  • 【主办单位】中国物理学会光散射专业委员会
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