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P波段低温低噪声放大器的设计与测量

Design and Measurement of P Band Cryogenic Low Noise Step Amplifier

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【作者】 王瑞丰唐仕明张晓平魏斌曹必松

【Author】 Wang Ruifeng Tang Shiming Zhang Xiaoping Wei Bin Cao Bisong (Tsinghua University Beijing 100084)

【机构】 清华大学理学院物理系

【摘要】 本文介绍了用于P波段高温超导滤波系统的低温低噪声级联放大器的研制以及低温系统调谐方法和测试方法。低噪声放大器采用Agilent ATF-54143高电子迁移率场效应晶体管,集总参数元件进行设计,引入源级负反馈与有耗电阻提高稳定性,选用Π型输入匹配网络,扩展带宽,满足直流偏置的要求。制备的低温低噪声放大器在70K温度下,工作频段为450-550MHz,两级放大电路噪声低于0.5dB,输入驻波比优于1.3,增益29.2±0.3dB。采用了两极供电系统以方便在70K的条件下对滤波系统进行调节,使得前级滤波器和低噪声放大器获得较好匹配,最终系统输入驻波比优于1.3,增益27±0.1dB,带宽15MHz,系统噪声小于0.6dB。

【Abstract】 A Cryogenic Low noise amplifier(CLNA) for P band receiver designed and developed with high performance at liquid nitrogen temperature is presented.The LNA with a two stages single-ended architecture have been adopted to achieve a low noise figure and excellent volt standing wave ratio(VSWR) simultaneity within frequency band from 450MHz to 550MHz. Agilent PHEMT transistor was selected which can be worked in cryogenic temperatures.The components were implemented with lumped elements.The source backward feedback was introduced to achieve the stability in the full frequency band.TheΠmodel was used in input matching web to meet the band width and DC bias requirement.In the passband of operation at 70K,the LNA achieved noise figure(NF) is within 0.5 dB,the power gain is about 29.2±0.3dB,the VSWR in<1.3,VSWR out<1.5.

【基金】 国家自然科学基金项目(课题编号60871004)
  • 【会议录名称】 2009安捷伦科技节论文集
  • 【会议名称】2009安捷伦科技节
  • 【会议时间】2009-04-03
  • 【会议地点】中国上海
  • 【分类号】TN722.3
  • 【主办单位】电子测量与仪器学报杂志社、安捷伦科技有限公司
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