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Geant4应用于半导体器件单粒子翻转效应的研究
【机构】 中国科学院微电子研究所；
【摘要】 利用蒙特卡洛工具Geant4模拟半导体器件的单粒子翻转效应(SEU),并构建了基于Geant4工具模拟半导体器件及电路单粒子翻转效应的一般方法。辐照过程中主要的电学与核反应物理过程的作用决定了器件中敏感单元产生的沉积电荷量的分布,尤其核反应的物理过程对于沉积较高电荷量的贡献很大。最后,利用Geant4分析敏感单元上存在的后段互联材料钨对于单粒子翻转的反应截面曲线的影响,并进行了模拟仿真。模拟结果表明,钨层的存在会加重存储器件的单粒子翻转效应。
【关键词】 Geant4；
核反应；
单粒子翻转(SEU)；
钨材料层；
翻转截面；
【基金】 国家自然基金面上项目61176095和国家自然基金重点项目11179003资助
- 【会议录名称】 中国宇航学会深空探测技术专业委员会第十届学术年会论文集
- 【会议名称】中国宇航学会深空探测技术专业委员会第十届学术年会
- 【会议时间】2013-08-03
- 【会议地点】中国山西太原
- 【分类号】TN307
- 【主办单位】中国宇航学会深空探测技术专业委员会、国家重点基础研究发展计划（深空973）项目办公室、飞行器动力学与控制教育部重点实验室