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DMCPS/CHF3电子回旋共振等离子体对沉积F-SiCOH低介电常数薄膜的影响
Effect of decamethylcyclopentasiloxane and trifluromethane electron cyclotron resonance plasmas on F-SiCOH low dielectric constant film deposition
【作者】 叶超;
【机构】 苏州大学;
【摘要】 采用四极质谱和发射光谱技术研究了DMCPS/CHF3电子回旋共振(ECR)等离子体沉积F-SiCOH低介电常数薄膜的等离子体特性及其与薄膜沉积的关联。在ECR放电等离子体中,十甲基环五硅氧烷分子(DMCPS)分解主要产生SiOC2H2、SiOCH3、SiCH3、SiO、Si、O、CH3、CH2、CH、C、H基团,三氟甲烷(CHF3)分解主要产生CHF2、CF3、F基团,等离子体中活性基团的复合生成了HF、C2H2、C2H3、C2H4、C2H5、C2、H2、SiH2、SiF3、SiF2、SiF基团。与Si相关和与CH相关的基团通过在基片上的吸附形成了SiCOH薄膜,而与F相关的基团不仅可以形成F-SiCOH薄膜,还可以通过Si与F之间的反应刻蚀SiCOH薄膜。这种薄膜沉积与刻蚀之间的竞争导致了薄膜结构从SiCOH薄膜向Si掺杂的COF薄膜、进一步向COF薄膜转变。
【关键词】 F-SiCOH低介电常数薄膜;
DMCPS/CHF3电子回旋共振等离子体;
- 【会议录名称】 苏州市自然科学优秀学术论文汇编(2008-2009)
- 【会议时间】2010-11-01
- 【分类号】O484.4