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高压下GaN的电子结构及光学性质研究
【机构】 郑州轻工业学院技术物理系；
【摘要】 <正>利用第一性原理密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)平面波赝势法,对理想GaN 在高压下的弹性性质、能带结构、电子态密度和光学性质进行了系统的研究,计算分析出的结果可以为GaN的设计与应用提供理论据。论文主要结论如下:首先计算了在一系列平面波截止动能下的上价带宽度,依据计算结果的收敛情况,发现当平面波截止动能为1000eV时,即可完整描述波函数。布里渊k点采样网格大小分别是14×
- 【会议录名称】 第七届全国青年计算物理学术会议论文集
- 【会议名称】第七届全国青年计算物理学术会议
- 【会议时间】2013-08-06
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】O469
- 【主办单位】中国核学会计算物理学会