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第一性原理对GaSb的本征缺陷和Te掺杂缺陷性质研究
【机构】 武汉大学物理科学与技术学院；
【摘要】 通过第一性原理对GaSb本征缺陷和Te掺杂的GaSb缺陷进行了研究。我们研究的缺陷在不同的生长条件下稳定性不同。对于GaSb的本征缺陷,最重要的是GaSb的反位缺陷。另外两种重要的缺陷是Ga空位和间隙Ga。对于Te掺杂的GaSb,形成TeSb后体系更加稳定,所以主要以这种形式存在。而另一种重要的缺陷VGaTeSb作为acceptor,导致p型。然而TeSb缺陷浓度更高,作为doner可以失去电子。因此更多的形成TeSb这样为n型掺杂,与实验符合的很好。计算出来的TeIVGa的形成为2.26 eV,TeGa的形成能为2.14 eV,这样与不掺杂的GaSb相反,因此认为Te的扩散在Sb-rich下会比Sb快一些。
- 【会议录名称】 第十一届全国正电子湮没谱学会议论文集
- 【会议名称】第十一届全国正电子湮没谱学会议
- 【会议时间】2012-09-01
- 【会议地点】中国四川成都
- 【分类号】O469
- 【主办单位】中国核物理学会正电子谱学专业委员会、四川大学物理科学与技术学院、中国科学院高能物理研究所、四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室