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Gd/Eu替代浓度对Y1-xRxBa2Cu3O7-δ(R=Gd,Eu)体系局域电子密度和超导电性的影响
【作者】 陈镇平; 王春梅; 薛运才; 薛人中; 李涛; 胡义斌; 袁晓辉;
【机构】 郑州轻工业学院;
【摘要】 利用正电子湮没和X射线衍射技术,对Gd/Eu替代Y位的Y1-xRxBa2Cu3O7-δ(R=Gd,Eu)(x=0.0,0.2,0.5,1.0)超导体系进行了系统研究,分析了Gd/Eu替代量对局域电子密度、电子结构和超导电性的影响。XRD实验表明所有样品均保持与YBa2Cu3O7-δ相同的单相正交结构。正电子湮没实验表明,正电子平均寿命随Gd/Eu替代浓度增加而增加,局域电子密度与替代量有关。Gd/Eu替代Y位不仅影响Y位的电子密度,同时也影响了Cu-O链周围的电子密度分布。这些结果证明局域电子密度的变化、单相正交结构畸变、Cu-O链和CuO2面间的耦合都会影响Y1-xRxBa2Cu3O7-δ体系的超导电性。
- 【会议录名称】 第十届全国正电子湮没谱学会议论文集
- 【会议名称】第十届全国正电子湮没谱学会议
- 【会议时间】2009-11-01
- 【会议地点】中国广西南宁
- 【分类号】TM26
- 【主办单位】中国科学院核分析技术重点实验室、广西大学物理科学与工程技术学院