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用高分辨X射线摇摆曲线表征RDX单晶的位错密度
Study on the Dislocation in RDX Single Crystal by TAXRD Rocking Curve
【Author】 ZHOU Xiao-qing,XU Rong,HUANG Ming,WANG Shu-cun,LI Hong-zhen (Institute of Chemical Materials,CAEP,Mianyang 621900,China)
【机构】 中国工程物理研究院化工材料研究所；
【摘要】 炸药晶体中的缺陷与热点起爆密切相关,位错是RDX晶体中最重要的一种线缺陷,严重影响炸药的力学、安全等性能。炸药大单晶较为纯净,杂质与缺陷较少,采用炸药大单晶研究炸药的起爆机理受到广泛关注。用溶剂蒸发法制备了RDX大单晶(约5×4×3 cm~3),从大单晶上切割得到(210)、(200)和(111)取向的单晶片。用高分辨X射线三晶衍射(TAXRD)摇摆曲线(ω扫描)研究了RDX单晶的生长诱导位错,(210)、(200)和(111)晶面的半高宽(FWHM)值分别为35.35arcsec,45.31arcsec和7.92arcsec,说明(111)晶面的位错密度最大,线生长速度最快;(210)晶面的位错密度最小,线生长速度最慢。
【Abstract】 Large(about 5×4×3 cm~3) single crystal of cyclotrimethylene trinitramine(RDX) hase been prepared from acetone solution by solvent evaporation techniques.The growth-induced dislocation in RDX single crystals was estimated by high-resolution x-ray Triple Axis diffraction(TAXRD) rocking curve(ω-scan),and the Full width width at half maximum(FWHM) of(210),(200) and (111) planes were 35.35,45.31 and 77.92 arcsec separately.It can be concluded that the dislocation density in(111) plane is largest, while(210) crystal plane is least,the growth of(111) crystal plane is quickest,while(210) crystal plane is slowest.
【Key words】 RDX large single crystal； TAXRD； rocking curve； dislocation；
- 【会议录名称】 全国危险物质与安全应急技术研讨会论文集（上）
- 【会议名称】全国危险物质与安全应急技术研讨会
- 【会议时间】2011-12-10
- 【会议地点】中国重庆
- 【分类号】TQ560.1
- 【主办单位】重庆市人民政府、中国工程物理研究院