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纳秒激光产生Sn等离子体状态实验研究
【作者】 李小强；
【机构】 哈尔滨工业大学,可调谐激光技术国家级重点实验室；
【摘要】 <正>光刻技术制约着集成电路制造业的发展,是现代信息技术中的最关键技术。极紫外光刻技术被认为是最有前途的下一代光刻技术候选人,它采用波长为13.5nm的极紫外光(EUV)作为曝光光源,可以将集成电路的特征尺寸实现到22nm甚至更低的技术节点。Sn可以作为EUV光源介质来产生13.5nm的辐射,常温下Sn为固体,需要采用激光辅助放电等离子体(LDP)的方式,先用纳秒激光烧蚀Sn靶产生Sn的初始等离子体,再放电
- 【会议录名称】 黑龙江、江苏、山东、河南、江西五省光学（激光）联合学术‘13年会论文（摘要）集
- 【会议名称】黑龙江、江苏、山东、河南、江西五省光学（激光）联合学术‘13年会
- 【会议时间】2013-09-01
- 【会议地点】中国黑龙江哈尔滨
- 【分类号】TN405;TN249
- 【主办单位】黑龙江省光学学会