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硅光电倍增管的新发展

The new development of silicon photomultiplier(SiPM)

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【作者】 李亮龚光华

【Author】 Li Liang, Gong Guanghua (Department of Engineering Physics, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)

【机构】 清华大学工程物理系

【摘要】 半导体探测器有着很好的位置分辨率,这一特性是任何气体探测器和闪烁探测无法比拟的。随着科学技术和加工工艺的不断发展,科学家们利用各种半导体研制出各种新型的半导体探测器,如硅微条、Pixel、CCD、硅漂移室等[1],这些探测器在高能物理,天体物理,核医学,X光成像以及军事等各领域都得到了广泛的应用。近几年高能物理的所有新发现(t夸克,标准模型等)都与这些高精度的、优良特性的探测器密不可分,所以,国际上很多大型实验室都十分重视半导体探测器的开发与应用。

【Abstract】 Semiconductor detector has a high resolution of position, this feature is much better than gas detectors and scintillation detections. Along with the continuous development of science and processing technology, scientists developed a variety of semiconductors, such as silicon microstrip, Pixel, CCD and silicon drift chamber. These detectors have been widely used in high energy physics, astrophysics, nuclear medicine, X-ray imaging, military and other fields. In recent years, all the breakthrough of high-energy physics (as t quark, the standard model) are closely linked with these detectors. Many large international laboratories also have pay great attention to the development and application of these kinds of semiconductor detectors.

【关键词】 SiPM盖革模式MPPC像素
【Key words】 SiPMGeiger ModelMPPCpixel
  • 【会议录名称】 第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集
  • 【会议名称】第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会
  • 【会议时间】2010-08-13
  • 【会议地点】中国贵州贵阳
  • 【分类号】TL814
  • 【主办单位】中国电子学会核电子学与核探测技术分会、中国核学会核电子学与核探测技术分会
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