【作者】 田浩； 张正选； 刘张李； 俞文杰； 王茹； 张帅； 毕大炜； 陈明；

【Author】 TIAN Hao~(1,2),ZHANG Zheng-xuan~1,LIU Zhang-li~(1,2),YU Wen-jie~(1,2),WANG Ru~(1,2), ZHANG Shuai~(1,2),BI Da-wei~(1,2),CHEN Ming~(1,2) (1.Shanghai Institute of Microsystem and information Technology,Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050,China;2.Graduate School of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100039,China)

【机构】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所； 中国科学院研究生院；

【摘要】 本文介绍了一种新型的抗噪声地址转换监控(ATD)电路。在CMOS静态存储电路中,ATD信号作为重要的触发信号加快了数据读出速度。对于应用于辐照环境下的SRAM来说,ATD电路需满足极高的抗噪声干扰的要求。我们利用SR触发器构成的反馈回路来稳定生成的片选(CS)信号并通过延时单元调整CS信号宽度。模拟结果表明该款电路非常适宜应用于工作在辐照环境下的SRAM中。更多还原

【Abstract】 In this paper,a novel noise immune address transition detector(ATD) circuit is presented.The ATD is an important triggering signal in CMOS SRAM to accelerate the read-out performance.For radiation hardened SRAM,the most critical requirement for the generation of such a signal is that it should not be affected by the noise or glitch in the radiation environment.We employ a SRFF feedback loop to stabilize the generated CS signal and delay cells to adjust the width of the CS signal.The simulation results turn out it is suitable for radiation hardened SRAM.更多还原