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8K×8 SOI SRAM单粒子效应实验研究
Experimental Study of the Heavy Ion Single Event Effect on the 8K×8 SOI SRAM
【作者】 赵发展； 郭天雷； 刘刚； 海潮和； 韩郑生； 贺朝会； 李永宏；
【Author】 Zhao Fa-zhan Guo Tian-lei Liu Gang Hai Chao-he Han Zheng-sheng (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences Beijing 100029) He Chao-hui Li Yong-hong (XI’AN JIAOTONG University Xi’an 710049)
【机构】 中国科学院微电子研究所； 西安交通大学；
【摘要】 在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器上对中国科学院微电子研究所的8K×8SOI SRAM进行了单粒子效应实验。数据由存储器辐射效应测试系统进行收集并存储,并与国外IDT7164陶瓷封装体硅器件进行了对比。实验结果表明,中科院微电子所的8K×8 SOI SRAM的单粒子翻转LET阈值为84MeV.cm~2/mg左右,饱和翻转截面为2×10-8cm~2/bit,抗单粒子翻转性能优于IDT7164。
【Abstract】 Experimental study of the Heavy Ion single event Effect on memory ICs have been taken on the HI-13 Tandem Accelerator in China Institute of Atomic Energy.Data are obtained and stored by the Memory Radiation Effect Test System.The results of experiments indicate that the Single Event Upset （SEU） threshold LET is about 84 MeV.cm2/mg for 8K×8 SOI SRAM,developed by Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences and SEU saturation cross section is about 2×10-8cm2/bit. All the results are superior to the IDT 7164 which is bulk device and ceramic package.
【Key words】 Silicon on Insulator(SOI)； Heavy Ion； Single Event Effect； Static Random Access Memory(SRAM)；
- 【会议录名称】 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集
- 【会议名称】第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
- 【会议时间】2009-07-01
- 【会议地点】中国辽宁沈阳
- 【分类号】TP333
- 【主办单位】中国电子学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国核学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国工程物理研究院电子工程研究所