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不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性
【作者】 郑玉展； 陆妩； 任迪远； 王义元； 郭旗； 余学锋； 何承发；
【机构】 中国科学院新疆理化技术研究所； 中国科学院研究生院；
【摘要】 影响NPN晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺,剂量率以及辐照偏置等。本文主要研究了三种发射极面积的国产NPN晶体管高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响。研究结果表明国产NPN晶体管具有低剂量率辐照损伤敏感性增强效应,且发现小电流注入下晶体管辐射损伤会表现得愈加显著。比较三种发射极尺寸晶体管辐照响应,发现发射极周长面积比（P/A）越大时晶体管归一化过剩基极电流(△IB/IB0)也越大。文中详细阐述了NPN晶体管辐射损伤机制,从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对NPN晶体管的加固保证方法进行了探索。
- 【会议录名称】 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集
- 【会议名称】第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
- 【会议时间】2009-07-01
- 【会议地点】中国辽宁沈阳
- 【分类号】TN32
- 【主办单位】中国电子学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国核学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国工程物理研究院电子工程研究所