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SOI器件总剂量辐射效应研究进展
【作者】 俞文杰； 张正选； 田浩； 王茹； 毕大伟； 陈明； 张帅； 刘张李；
【机构】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室；
【摘要】 绝缘体上的硅(Silicon on Insulator,SOI)技术凭借其全介质隔离的特殊结构,成为制造抗辐射集成电路的首选技术。然而由于埋氧化层的存在,使得SOI器件的总剂量效应比体硅器件更为复杂。本文将阐述埋氧化层中总剂量效应的产生机理以及对器件功能的影响,并从制作工艺、器件结构、偏置状态、尺寸缩小和加固措施等方面来回顾国际上的研究进展。
- 【会议录名称】 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集
- 【会议名称】第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
- 【会议时间】2009-07-01
- 【会议地点】中国辽宁沈阳
- 【分类号】TN386
- 【主办单位】中国电子学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国核学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国工程物理研究院电子工程研究所