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光电耦合器辐射效应研究
Research on Optocoupler Radiation Effect
【Author】 FENG Zhan-zu,YANG Sheng-sheng,WANG Yun-fei,GAO Xin,WANG Jian (National LAB.Of Vcuum & Cryogenics Technology and Physics,Lanzhou Institute of Physics,Lanzhou 730000,china)
【机构】 兰州物理研究所真空低温技术与物理国家级重点实验室；
【摘要】 选取了一种典型的光电耦合器4n25进行了1MeV高能电子及Co60γ辐照试验,获得了1MeV电子及Co60γ辐照后光电耦合器4n25 CTR参数的退化与粒子的通量的关系,通过辐射对器件及材料作用过程的分析,探讨了光电耦合器位移损伤效应及电离辐射效应。
【Abstract】 Optocoupler 4n25 is selected for 1MeV energetic electron and Co60γray radiztion,The relation between parameter degradation with energetic particle flux is obtained,From analyse mechanism of displacement damage effect and ionization effect on material and device,the radiation effect of Optocoupler is discussed.
【关键词】 光电耦合器；
位移损伤；
辐射效应；
电离辐射效应；
【Key words】 optocoupler； displacement damage； radiation effect； ionization effect；
【Key words】 optocoupler； displacement damage； radiation effect； ionization effect；
- 【会议录名称】 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集
- 【会议名称】第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
- 【会议时间】2009-07-01
- 【会议地点】中国辽宁沈阳
- 【分类号】TN622
- 【主办单位】中国电子学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国核学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国工程物理研究院电子工程研究所