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CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较
【作者】 王改丽； 余学峰； 任迪远； 郑玉展； 孙静； 文林； 高博； 李茂顺； 崔江维；
【机构】 中国科学院新疆理化技术研究所； 中国科学院研究生院； 新疆大学物理学院；
【摘要】 本文通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验,比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐照响应特性,对其响应差异进行了较深入的机理研究,并由此探讨了54HC电路的抗辐射能力测试方法和评判标准。
- 【会议录名称】 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集
- 【会议名称】第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
- 【会议时间】2009-07-01
- 【会议地点】中国辽宁沈阳
- 【分类号】TN43
- 【主办单位】中国电子学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国核学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国工程物理研究院电子工程研究所