SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应研究

【作者】 高博； 余学峰； 任迪远； 王义元； 李鹏伟； 于跃； 李茂顺； 崔江维；

【机构】 中国科学院新疆理化技术研究所； 中国科学院研究生院；

【摘要】 本文研究了Altera SRAM型FPGA器件⁶⁰Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应。通过不同模块实现相同的分频功能,比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系;通过实现不同源程序所需的模块不同,并比较了不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系,详细探讨了不同模块随总剂量、退火时间的变化关系。同时,分析了功耗电流在不同退火温度下恢复的原因,并讨论了不同退火温度下功耗电流恢复幅度的差异。最后,测量了输出端口的高低电平,分析高低电平随总剂量、退火时间的变化关系。更多还原