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一种抗辐射加固隔离反馈发生器的研制
【机构】 中国电子科技集团公司第24研究所；
【摘要】 本文介绍了一种抗辐射加固隔离反馈发生器的电路设计,它集成了精密基准源、高频振荡器、误差放大器和完整的调制模块电路,采用40V SOI双极工艺制造,简化了隔离和原边控制型开关电源闭环反馈设计的任务,特别适合于抗辐照应用场合。本文主要从电路设计、版图设计和工艺设计三个方面抗总剂量和抗中子辐射进行介绍。该产品在-55～125℃全温范围内,基准输出电压1.485～1.515V,误差放大器输入失调电压≤4mV,振荡器初始精确度140～160kHz,驱动器电源电流≥15mA,静态电流≤8mA,抗总剂量指标达到5×103rad（si）,抗中子4×1013 n/cm2。
- 【会议录名称】 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集
- 【会议名称】第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
- 【会议时间】2009-07-01
- 【会议地点】中国辽宁沈阳
- 【分类号】TN702
- 【主办单位】中国电子学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国核学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国工程物理研究院电子工程研究所