【作者】 徐谨民； 邵丽影； 王永泰； 吴敏；

【Author】 Xu Jinmin,Shao Liying,Wang Yongtai,Wu Min Nankai University

【机构】 南开大学；

【摘要】 <正>目前对重掺半导体载流子浓度的光学测量,有的采用反射谱高频反射边反射率R极小值对应的频率ω_L代替等离子体频率ω_P,应用标样进行曲线校正的办法[1-3],有的是对反射谱进行数据处理,求出ω_P的办法[4]。前者虽然方法简便,但对重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,它只适用于载流子在10^?cm^-3以上的浓度,否则将会引起很大的误差。后者虽不存在上述问题,但由于计算复杂,很费时间,而且对无计算机控制的一般色散型红外光谱仪,无法应用。本文所提测试方法,不存在上述矛盾。更多还原

【Abstract】 Reflectivity curves of every kinds of heavily-dopedⅢ-V group compound semiconductors are drawed in different plasma frequency using computor.Thereby,the relation betweenω_P and the sum ofω₁ andω₂ is found,whereω₁ andω₂ are frequencies of the high and the low-frequency reflection,edge of reflection spectra on the positions of reflectivity minimum.Using this relation,heavily-dopedⅢ—Ⅴgroup compound semiconductors GaAs and InP with different carrier concentrations are tested and the result is satisfied.更多还原