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重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体载流子浓度的光测法研究
RESEARCH ON OPTICAL MEASUREMENT OF THE FREE CARRIER CONCENTRATION OF HEAVILY-DOPED Ⅲ-Ⅴ GROUP COMPOUND SEMICONDUCTORS
【Author】 Xu Jinmin,Shao Liying,Wang Yongtai,Wu Min Nankai University
【机构】 南开大学;
【摘要】 <正>目前对重掺半导体载流子浓度的光学测量,有的采用反射谱高频反射边反射率R极小值对应的频率ωL代替等离子体频率ωP,应用标样进行曲线校正的办法[1-3],有的是对反射谱进行数据处理,求出ωP的办法[4]。前者虽然方法简便,但对重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,它只适用于载流子在10?cm-3以上的浓度,否则将会引起很大的误差。后者虽不存在上述问题,但由于计算复杂,很费时间,而且对无计算机控制的一般色散型红外光谱仪,无法应用。本文所提测试方法,不存在上述矛盾。
【Abstract】 Reflectivity curves of every kinds of heavily-dopedⅢ-V group compound semiconductors are drawed in different plasma frequency using computor.Thereby,the relation betweenωP and the sum ofω1 andω2 is found,whereω1 andω2 are frequencies of the high and the low-frequency reflection,edge of reflection spectra on the positions of reflectivity minimum.Using this relation,heavily-dopedⅢ—Ⅴgroup compound semiconductors GaAs and InP with different carrier concentrations are tested and the result is satisfied.
- 【会议录名称】 全国第五届分子光谱学术报告会文集
- 【会议名称】全国第五届分子光谱学术报告会
- 【会议时间】1988
- 【会议地点】中国海南海口
- 【分类号】TN304
- 【主办单位】中国光学会光谱委员会、中国化学会物理化学委员会