节点文献
光纤衍射波前的测试方法研究
【机构】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室； 中国科学院研究生院；
【摘要】 <正>在摩尔定律的指引下,半导体行业取得了突飞猛进的发展。而光刻工艺直接决定了整个芯片工艺所能达到的最小尺寸,它的进步为半导体产业的发展提供了最为有力的技术支撑。随着芯片集成度的提高,光刻采用的光波波长也由紫外波段向深紫外和极紫外波段发展。EUV投影曝光技术被认为是下一代光刻技术。它对光学系统的加工和装调提出了更高的要求,光学系统波像差要求小于1nm。例如ASML公司研发的Starlith 3100光刻系统的波像差小于0.7nm。为了研制如此高精
- 【会议录名称】 第十四届全国光学测试学术讨论会论文（摘要集）
- 【会议名称】第十四届全国光学测试学术讨论会
- 【会议时间】2012-09-21
- 【会议地点】中国四川绵阳
- 【分类号】TN253
- 【主办单位】中国光学学会光学测试专业委员会