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同时具有记忆开关效应和阈值开关效应的Ni/NiO核壳结构纳米线
【作者】 何丽； 廖志敏； 田晓雪； 徐东升； 吴孝松； 俞大鹏；
【机构】 北京大学物理学院介观物理国家重点实验室； 北京大学化学与分子工程学院；
【摘要】 Ni/NiO核壳结构纳米线同时具有两种单极电阻开关效应:如果限制电流(Icc)较高,出现记忆开关效应;如果限制电流较低,则出现阈值开关效应。其原因是限制电流影响了导电丝的粗细,进而影响其持续时间,最终决定了电阻开关的类型。另外,两种开关效应的关闭过程的机制不同。以上结果会对提高NiO非易失性存储器性能提供帮助。
- 【会议录名称】 第七届中国功能材料及其应用学术会议论文集（第7分册）
- 【会议名称】第七届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2010-10-15
- 【会议地点】中国湖南长沙
- 【分类号】TB383.1
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料分会、重庆仪表材料研究所、中南大学、《功能材料》期刊社