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ICP-AES法测定多晶硅中的杂质元素

Determination of impurity elements in polycrystalline silicon by ICP-AES

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【作者】 胡玉燕田俊叶其辉陈红雨李核

【Author】 HU Yu-yan, TIAN Jun, YE Qi-hui, CHEN Hong-yu, LI He (School of Chemistry and Environment, South China Normal University, Guangzhou 510006,China)

【机构】 华南师范大学化学与环境学院

【摘要】 探讨了采用ICP-AES法同时测定多晶硅中的Fe、Al、Ca、Mn、Cu、Cr、Ni、Ti、Zn、As、P、B等12种杂质元素,该方法测定的元素相对标准偏差(RSD)均<2.4%,回收率为92%~104.8%,方法检出限低,测定结果准确可靠。

【Abstract】 In this paper, the ICP-AES method for determination iron and other 11 impurity elements in polycrystalline silicon is described. The relative standard deviation(RSD) of results were less than 2.4% for all elements, and recoveries were 92% to 104.8%. The detection limit of this method is relative lower, and the result is accurate and reliable.

【关键词】 ICP-AES多晶硅杂质测定
【Key words】 ICP-AESpolycrystalline siliconimpuritydetermination
【基金】 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2009CB226109)
  • 【会议录名称】 2009中国功能材料科技与产业高层论坛论文集
  • 【会议名称】2009中国功能材料科技与产业高层论坛
  • 【会议时间】2009-11-07
  • 【会议地点】中国江苏镇江
  • 【分类号】O657.31;O613.72
  • 【主办单位】中国仪表功能材料学会、江苏大学、《功能材料》期刊、《功能材料信息》期刊
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