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金刚石膜场发射性质的研究

Studies of Field Emission Properties From Diamond Films

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【作者】 王万录廖梅勇廖克俊

【Author】 Wang Wanlu Liao Meiyong~+ Liao Kejun (Departmat of Applied Physics,Chongqing University,Chongqing,400044,China) (+ Department of Physics,Lanzhou University,Lanzhou,730000,China)

【机构】 重庆大学应用物理系兰州大学物理系

【摘要】 本文研究了CVD金刚石膜场发射性质。金刚石膜是利用热灯丝化学气相沉积法制备的。实验研究表明,金刚石膜场发射阀值电压强烈的依赖于金刚石膜表面结构、杂质与缺陷和衬底材料。具有尖端表面场发射阀值电压低于平坦表面的值。

【Abstract】 The field emission properties of CVD diamond films,grown in a hot filament chemical Vapour deposition setup,were investigated.The experimeintal studies showed that the threshold voltage of field emission in the diamond films was strongly depended on the surface structure of dianond films,substrate materials, impurities and defects in the films.The threshold voleage with tip surface was less than that of flat surface.

【关键词】 场发射CVD金刚石膜阀值电压
【Key words】 field emissionCVD diamond filmsthreshold voltage
  • 【会议录名称】 第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集
  • 【会议名称】第三届中国功能材料及其应用学术会议
  • 【会议时间】1998-10-13
  • 【会议地点】中国重庆
  • 【分类号】O484
  • 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料分会、中国金属学会功能材料分会、中国化学会、中国物理学会发光分科学会、机械工业部重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、清华大学、中国科技大学、南京大学、吉林大学、东北大学、北京科技大学、天津大学、重庆大学、四川联合大学、电子科技大学、福州大学、北京航空航天大学、湖南大学、大连理工大学、华中理工大学、北京工业大学、合肥工业大学、《功能材料》编辑部、重庆市科学技术委员会
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