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c-BN薄膜在WC上的制备
Preparing of c-BN films on WC Substrates
【Author】 Wang Bo Zhao Yongnian~+ He Zhi~+ Zhu Pinwen~+ Zou Guangtian~+ (Department of Applied Physics,Beijing Polytechnic University,Beijing,100022,China) (+ National Laboratory of Superhard Materials,Jilin University,Changchun,130023,China)
【机构】 北京工业大学应用物理系； 吉林大学超硬材料实验室；
【摘要】 运用射频磁控溅射方法研究了不同衬底上立方氮化硼薄膜的生长。红外谱分析表明在硬质合金衬底上沉积立方氮化硼薄膜时,负偏压对立方相含量的影响与单晶硅衬底上的相似,只是最佳偏压值不同。对于硬质合金衬底,其最佳负偏压是在-150V附近。
【Abstract】 The growth of c-BN films on(100)Si and WC substrates were studied via magnet sputtering system.The FTIRspectra reveals that the substrate bias has an influence on the c-BN content of films deposited on WC suhstrates similar to those on Si substrates.For WC substrates,with an biasof-150V the films will have a highest c-BN content.
- 【会议录名称】 第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集
- 【会议名称】第三届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】1998-10-13
- 【会议地点】中国重庆
- 【分类号】TB383.2
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料分会、中国金属学会功能材料分会、中国化学会、中国物理学会发光分科学会、机械工业部重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、清华大学、中国科技大学、南京大学、吉林大学、东北大学、北京科技大学、天津大学、重庆大学、四川联合大学、电子科技大学、福州大学、北京航空航天大学、湖南大学、大连理工大学、华中理工大学、北京工业大学、合肥工业大学、《功能材料》编辑部、重庆市科学技术委员会