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高品质立方氮化硼薄膜
High Quality Cubic Boron Nitride Films
【作者】 赵永年； 邹广田； 何志； 李冬妹； 朱品文； 王学进； 赵冰；
【Author】 Zhao Yongnian~(1,2) Zou Guangtian~1 He Zhi~1 Zhu Pinwen~1 Wang Xuejin Zhao Bing (1 National Key Laboratory of Superhard Materials,2 Key Laboratory of Supermolecular Structure and Spectroscopy,Jilin University,Changchun,130023,China)
【机构】 吉林大学超硬材料国家重点实验室； 吉林大学超分子结构与谱学开放实验室；
【摘要】 本工作报道了低应力立方氮化硼薄膜。TEM测量表面薄膜表面是一层纯立方氮化硼。红外光谱结果表明在这个层与基底之间是由E-BN和W-BN组成的中间层。本工作提出了薄膜生长过程中可能经历了一个从E-BN和W-BN到c-BN的相转变。
【Abstract】 In this paper,Cubic Boron Nitride film with low stress was reported.TEM result shows that a pure c-BN layer is on the surface of c-BN films.IR spectra indicates that before depositing c-BN,E-BN and W-BN phase have been grown,as intermediate layer between the c-BN layer and the substrate,and c-BN film with lower stress leading to extreme adhesion.
- 【会议录名称】 第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集
- 【会议名称】第三届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】1998-10-13
- 【会议地点】中国重庆
- 【分类号】O484.1
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料分会、中国金属学会功能材料分会、中国化学会、中国物理学会发光分科学会、机械工业部重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、清华大学、中国科技大学、南京大学、吉林大学、东北大学、北京科技大学、天津大学、重庆大学、四川联合大学、电子科技大学、福州大学、北京航空航天大学、湖南大学、大连理工大学、华中理工大学、北京工业大学、合肥工业大学、《功能材料》编辑部、重庆市科学技术委员会