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CdTe的溅射生长及其对n-HgCdTe光导器件的表面钝化
The Sputtering Deposition of CdTe Film and the Use of the Film for the Surface Passivation of n-HgCdTe Photoconductor Device
【Author】 Zhou Yongdong Fang Jiaxiong~+ Jin Xiufang~+ Wang Jiyuan~+ Tang Dingyuan~+ (Department of Science and Technology,Soochow University,Suzhou,215006,China) (+ Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Science,Shanghai,200083,China)
【机构】 苏州大学物理科学与技术学院； 中国科学院上海技术物理研究所；
【摘要】 利用Ar~+束溅射沉积技术进行了CdTe介质膜对n-HgCdTe光导器件进行了表面钝化。对器件的性能分析结果表明:这里得到的CdTe/HgCdTe界面质量已经可以达到器件实用化水平。
【Abstract】 The CdTe film are deposited in low temperature by Ar~+ beam sputtering depositon technique, and the CdTe film is used for the passivation of n-HgCdTe photoconductor device.It is proved that the interface of the CdTe/HgCdTe here can meet the requirements of the passivation technology of HgCdTe surface.
【Key words】 CdTe； Ar~+ beam sputtering deposition； device passivation； HgCdTe；
- 【会议录名称】 第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集
- 【会议名称】第三届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】1998-10-13
- 【会议地点】中国重庆
- 【分类号】O614.242
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料分会、中国金属学会功能材料分会、中国化学会、中国物理学会发光分科学会、机械工业部重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、清华大学、中国科技大学、南京大学、吉林大学、东北大学、北京科技大学、天津大学、重庆大学、四川联合大学、电子科技大学、福州大学、北京航空航天大学、湖南大学、大连理工大学、华中理工大学、北京工业大学、合肥工业大学、《功能材料》编辑部、重庆市科学技术委员会