节点文献
I/N界面缓冲层对基于N-μc-SiOx的P-I-N型非晶硅太阳电池性能改善的研究
【作者】 顾龙； 张晓丹； 倪牮； 魏长春； 杨恢东； 赵颖；
【机构】 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室； 暨南大学暨南大学电子工程系；
【摘要】 <正>针对基于N-μc-SiOx的P-I-N型非晶硅薄膜太阳电池,由于本征层(a-Si:H)和掺杂层(N-μc-SiOx)界面缺陷态过多的原因,导致填充因子下降,本文通过在这两层之间引入N-a-Si:H,改善了界面特性,提高了填充因子。但缓冲层的引入,降低了N-μc-SiOx的反射效果,需要进一步增加氧含量,降低折射率;然而氧含量的增加一方面会导致短波QE下降,另一方面过高的氧含量还会导致电池无响应。因此设计引入N-μc-Si:H作为籽晶层,通过复合缓冲层(5nmN-a-Si:H+12nmN-μc-Si:H)的作用,有
- 【会议录名称】 2013广东材料发展论坛——战略性新兴产业发展与新材料科技创新研讨会论文摘要集
- 【会议名称】2013广东材料发展论坛——战略性新兴产业发展与新材料科技创新研讨会
- 【会议时间】2013-11-20
- 【会议地点】中国广东广州
- 【分类号】TM914.41
- 【主办单位】广东省材料研究学会、广东省工业技术研究院