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磷化铟材料的热稳定性研究

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【作者】 王阳杨瑞霞杨帆刘志国李晓岚康永张鑫李宁孙同年孙聂枫

【机构】 河北工业大学信息工程学院中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室

【摘要】 InP具有高电光转换效率、强抗辐射能力、易于制成半绝缘材料、作为太阳能电池材料的转换效率高等优点。这些特性决定InP材料在固态发光、微波通信、光纤通信、卫星等民用和军事领域的应用十分广阔。热场情况对磷化铟晶体的生长起到很重要的作用。磷化铟晶锭及晶片的热处理主要通过高温退火炉进行应力退火。将准备好的晶锭或者晶片放入退火炉内,根据磷化铟材料的特性设定好温度区间,进行程序退火。本文主要对磷化铟的合成、单晶生长和后期的热处理进行了实验研究。根据热应力分布的不同情况,设计并开展了多种条件下的单晶生长的实验及退火实验。分析了影响热场的因素、热应力的产生及应力分布与位错密度的关系。

【关键词】 磷化铟单晶热场热应力仿真模拟
  • 【会议录名称】 第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-02半导体材料器件及应用
  • 【会议名称】第十六届全国晶体生长与材料学术会议
  • 【会议时间】2012-10-21
  • 【会议地点】中国安徽合肥
  • 【分类号】O614.372
  • 【主办单位】中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会
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