燃烧合成法制备N掺杂SiC粉体及其微波介电性能

【作者】 李智敏； 黄云霞； 卫晓黑； 罗发； 周万城；

【机构】 西安电子科技大学技术物理学院； 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室； 西北工业大学凝固技术国家重点实验室；

【摘要】 <正>采用燃烧合成法,以硅粉和炭黑为原料、固态氮化剂α-Si₃N₄为掺杂剂及聚四氟乙烯（polytetrafluoroethylene,PTFE）为化学活性剂,制备N掺杂的立方相β-SiC粉体吸收剂。通过X射线衍射、扫描电子显微镜和能谱分析对燃烧产物的物相、形貌和成分分别进行了表征。结果表明:PTFE含量为10wt.%时,燃烧产物中β-SiC纯度较高,具有较好的颗粒形貌;随着PTFE含量升高至15wt.%,产物中存在较多的α-Si₃N₄、β-Si₃N₄和Si。利用矢量网络分析仪测试了所制备样品在8.2-12.4GHz频率范围的更多还原