激光诱导晶化法制备太阳能电池纳米硅薄膜

【作者】 陈盛； 史伟民； 金晶； 秦娟； 王漪； 曹泽淳；

【机构】 上海大学材料科学与工程学院；

【摘要】 非晶硅(a-si)薄膜太阳电池比起晶体硅太阳电池有诸多优势。但是同时,a-si的缺点也是很明显的,主要就是初始光电转换效率较低,稳定性较差.为此,我们在a-si薄膜的基础上引入再结晶技术,利用激光诱导晶化的方法将沉积好的a-si薄膜通过退火转变为长程有序的纳米硅(nc-si)薄膜。他具有很好的温度稳定性,能在高温下稳定工作,并且反向漏电流很小,在nA数量级。nc-si材料的禁带宽度为1.7eV,非常接近单晶硅的禁带宽度(1.12eV),这也是他的优点之一。同时nc-si薄膜太阳电池的电子迁移率也接近单晶硅薄膜太阳电池,比非晶硅薄膜太阳电池要高1～2个数量级。国内外学者通过理论分析,得出纳米硅薄膜太阳电池的理论转换效率可达31.7%[1]。更多还原