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碳化硅晶体的高温退火改性研究
【作者】 汪桂根； 张化宇； 韩杰才； 罗勇； 左洪波； 朱灿；
【机构】 哈尔滨工业大学深圳研究生院； 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所；
【摘要】 <正>碳化硅晶体作为典型的第三代宽带隙半导体材料,具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子迁移速率、良好的物理和化学稳定性等特点,在高温、大功率、高电压、高频等半导体
- 【会议录名称】 第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集
- 【会议名称】第15届全国晶体生长与材料学术会议
- 【会议时间】2009-11-06
- 【会议地点】中国浙江宁波
- 【分类号】O786
- 【主办单位】中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会