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不同来源的SiC衬底上外延GaN材料的特征
【作者】 郭丽伟； 丁国建； 陈耀； 徐培强； 陈弘； 王文军； 王刚； 王皖燕； 陈小龙；
【机构】 北京凝聚态物理国家实验室中科院物理所；
【摘要】 <正>GaN基HEMT材料在高温、高频、大功率器件中有广泛的应用前景和重要的经济和社会价值。特别是外延生长在半绝缘SiC衬底上的GaN基微波材料和器件更是军事应用的首选。由于GaN基微
- 【会议录名称】 第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集
- 【会议名称】第15届全国晶体生长与材料学术会议
- 【会议时间】2009-11-06
- 【会议地点】中国浙江宁波
- 【分类号】TN304.2
- 【主办单位】中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会