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CdGeAs2多晶合成与单晶生长研究
【机构】 四川大学材料科学系；
【摘要】 CdGeAs2是一种性能优异的中红外非线性光学材料,属Ⅱ-Ⅳ-V2族黄铜矿类半导体化合物,42m点群,熔点约为662℃。在已知红外晶体中,CdGeAs2晶体具有最大的非线性光学系数(d36=236pm/V),宽的红外透过范围,适宜的双折射(ne-no=0.1),高的热导率(42-93mW/cm·k)等突出优点,适合用于制作倍频、混频和宽带可调红外参量振荡器件,在红外遥测、激光制导、激光通讯、激光化学、红外医学、和环境科学等领域有广泛应用前景。
【基金】 国家自然科学基金重点项目(50732005);863计划课题(2007AA03Z443)
- 【会议录名称】 第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集
- 【会议名称】第15届全国晶体生长与材料学术会议
- 【会议时间】2009-11-06
- 【会议地点】中国浙江宁波
- 【分类号】O782
- 【主办单位】中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会