【作者】 谌怡； 刘毅； 王卫； 夏连胜； 张篁； 朱隽； 石金水； 章林文；

【Author】 Shen Yi,Liu Yi,Wang Wei,Xia Liansheng,Zhang Huang,Zhu Jun,Shi Jinshui,Zhang Linwen (Institute of Fluid Physics,China Academy of Engineering Physics,Mianyang 621900 China)

【机构】 中国工程物理研究院流体物理研究所；

【摘要】 GaAs光导开关可作为紧凑型脉冲功率系统的主要器件。为了准确测量光导开关的导通电阻,采用平板传输线和同轴电缆作为脉冲形成线研究了3mm GaAs光导开关的导通特性,利用25Ω同轴电缆电路结构准确测量了GaAs光导开关的导通电阻为14.5Ω。另外光导开关导通电阻的存在将导致开关热损伤,降低GaAs光导开关的使用寿命。更多还原

【Abstract】 The GaAs photoconductive semiconductor switch(PCSS) could be main element in compact pulse power system.In order to measure the switch’s on-resistance,the on-state characteristic of 3 mm gap GaAs PCSS was studied by using planar transmission line and coaxial-cable.The GaAs switch’s on-resistance was accurately measured 14.5Ωby using 25Ωcoaxial-cable circuit configuration.Moreover,PCSS’s on-resistance cause switch’ s thermal damage,the life time of GaAs PCSS is reduced.更多还原