【作者】 杜川华； 詹峻岭； 赵洪超； 朱小锋；

【Author】 DU Chuan-hua,ZHAN Jun-ling,ZHAO Hong-chao,ZHU Xiao-feng (Institute of Electronic Engineering,CAEP,Mianyang 621900,China)

【机构】 中国工程物理研究院电子工程研究所；

【摘要】 描述了ONO反熔丝的物理结构,采用ONO薄膜传导模型分析了ONO反熔丝结构在受到电离辐照时,其内部电子—空穴的运动规律。分别对ONO反熔丝FPGA A1460A和A40MX04进行了电离辐照实验,测试了电流与辐照剂量的关系以及FPGA功能失效阈值。理论分析和实验数据说明了该结构比单层SiO2具有较好的抗电离辐照性能。更多还原

【Abstract】 The ONO antifuse configuration was discribed.The Conduction mechanism of electron-hole pairs due to ionizing in the ONO material was analyzed.The TID（Total Ionizing Dose） Radiation performance of ONO antifuse FPGA（A1460A and A40MX04） were test,the current as a function of total dose and function failure point were obtained.All of results proved that this ONO antifuse have better TID performance than general single SiO₂.更多还原