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硅晶体中氧、碳的研究进展

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【作者】 杨德仁余学功

【机构】 浙江大学硅材料国家重点实验室

【摘要】 <正>半导体产业的发展是建立在晶体硅材料的研完基础上,一般要求晶体的质量越高越好。而硅晶体的质量是与其中的杂质和缺陷是相关的。氧和碳是硅晶体中两种最主要的轻元素杂质,它们在器件过程中极易形成沉淀,导致器件性能的下降或失效。硅中的氧主要是通过石英坩埚的溶解引起的,而碳是来自于石墨加热器的挥发,这两种元素

  • 【会议录名称】 半导体、光伏产业用石墨、石英制品技术及市场研讨会论文集
  • 【会议名称】半导体、光伏产业用石墨、石英制品技术及市场研讨会
  • 【会议时间】2010-03-14
  • 【会议地点】中国上海
  • 【分类号】TN304.12
  • 【主办单位】中国电子材料行业协会
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